120) Гетеролазеры на основе структур с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Лазеры, активная среда которых является периодической структурой, отражаемой генерируемое излучение, называются лазерами с распределенной обратной связью РОС-лазеры. Для таких лазеров зеркала резонатора не требуются, так как их функции выполняет сама пространственная структура. ПОС обеспечивается обратным брэгговским рассеянием от периодической структуры, создаваемой вдоль оси полоскового световода рис. Резонансные условия выполняются для длины волны, удовлетворяющей условию Брэгга:. В РОС-лазерах получена непрерывная и импульсная генерация на одной частоте. Созданы линейки лазеров с различными длинами волн, интегрированные на одном кристалле.
Полосковые лазеры. Было исследовано большое число конструкций лазеров, выполненных на основе полосковой геометрии. Одной из наиболее эффективных оказалась мезаполосковая структура, представленная на рис. Приборы этого типа позволяют реализовать одномодовый режим работы при пороговом токе менее 50 мА. Размеры структуры: ширина — 6 мкм, длина — мкм, толщина активной области — 0,5 мкм.
- Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря г.
- Для сверх скоростной передачи данных не остаточно одних лишь световодов с малым затуханием, необходимы еще и быстродействующие излучатели света.
- В полупроводниковом лазере используются излучательные переходы между энергетическими зонами или подзонами кристалла. Существует несколько разновидностей полупроводникового лазера: инжекционный лазер , гетеролазер , лазер на квантовых точках , квантовый каскадный лазер.
Два главных конструктивных отличия есть у лазерного диода по сравнению со светодиодом: 1. Лазерный диод имеет встроенный оптический резонатор, который отсутствует у светодиода. Лазерный диод работает при больших токах накачки, чем светодиод, что позволяет при превышении некоторого порогового значения получить режим индуцированного излучения. Именно такое излучение характеризуется высокой когерентностью благодаря чему ЛД имеют значительно меньшую ширину спектра излучения нм по сравнению со светодиодами нм. Лазеры, изготовленные из одного вида полупроводникового материала, называются гомо-лазерами, например GaAs арсенид галия. Более эффективны — гетеро-лазеры с гетеро-переходами.
